Yeni bellek cihazı, memristör adı verilen nanoskopik bir bileşenden oluşuyor. Tasarımında tungsten, hafniyum oksit ve tek katman grafen kullanıldı. Tungsten yüksek erime noktası ile dayanıklılık sağlarken, hafniyum oksit seramik yalıtkan görevi görüyor. Grafen ise esnekliği ve kimyasal özellikleriyle kısa devre riskini önlüyor.
Baş araştırmacı Jian Zhao, cihazın 700 santigrat derecede 50 saatten fazla veri tutabildiğini, bir milyardan fazla anahtarlama döngüsüne dayanabildiğini ve nano saniye hızlarında çalıştığını açıkladı. İlginç bir şekilde, cihazın arıza sınırına ulaşılmadı; test ekipmanları sınırlayıcı faktör oldu. Bu önemli keşif, araştırmacıların farklı amaçlarla yaptıkları deneyler sırasında tesadüfen ortaya çıktı.
Kaynak: RSS
